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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在较严重(zhòng)网络(luò)安全问题(tí)隐(yǐn)患(huàn)，对我国关(guān)键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运营者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光(guāng)公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关键信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发(fā)文称(chēng)，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室按照《网络安全(quán)审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收入(rù)从此(cǐ)前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约(y打男人脸男人会恨你吗，男人会记得打他脸女人uē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供(gōng)应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分(fē打男人脸男人会恨你吗，男人会记得打他脸女人n)析(xī)，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致(zhì)下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步(bù)骤，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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