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　　美(měi)光公司在华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络(luò)安全问题(tí)隐凶猛的意思是什么 凶猛的近义词患(huàn)，对我国(guó)关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大(dà)安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光(guāng)公司产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查(chá)，目的(de)是(shì)防(fáng)范产品网络(luò)安(ān)全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全(quán)的(de)必要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平(píng)对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入(rù)中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据(jù)《中华(huá)人(rén)民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品实(shí)施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中(zhōng)国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露(lù)过美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国(guó)内外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确(què)保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清洗(xǐ)）等(děng)收(shōu)入增长。

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