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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络安(ān)全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网滴滴总部在北京哪个区，滴滴总部北京地址络安(ān)全问题(tí)危(wēi)害(hài)国(guó)家关键信(xìn)息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家(jiā)安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华人民共(gòng)和国(guó)国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共(gòng)和国网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江(jiāng)波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一(yī)大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西(xī)部数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到(dào)限制，或(huò)将导致下游(yóu)客(kè)户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存(cún)储器的滴滴总部在北京哪个区，滴滴总部北京地址(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可(kě)能会更深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京(jīng)电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单(dān)，设(shè)备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高(gāo)的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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