大(dà)家(jiā)好，来看一则(zé)突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法作出不予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)的(de)运营者应停止采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护国(guó)家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务(w军人男朋友突然删除微信，军人男友删除微信拉黑我ù)进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基(jī)础设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范(fàn)产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng军人男朋友突然删除微信，军人男友删除微信拉黑我)和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露(lù)过美(měi)光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经在(zài)存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)军人男朋友突然删除微信，军人男友删除微信拉黑我波(bō)龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公(gōng)司在下(xià)游市场的供(gōng)应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如(rú)果美(měi)光(guāng)在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客(kè)户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设(shè)备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储(chǔ)被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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