大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在(zài)华销售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全(quán)审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规曹操的观沧海是什么体裁的诗，观沧海是什么体裁的诗古体诗(guī)，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题危害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基础设施(shī)安(ān)全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网(wǎng)信(xìn)网(wǎng)发(fā)文称，为保障关(guān)键信息基础设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一(yī)大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆曹操的观沧海是什么体裁的诗，观沧海是什么体裁的诗古体诗原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下游客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进(jìn)程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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