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　　美光公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络(luò)安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依法对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了(le)网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办公室依(yī)法作出(chū)不予通过网络(luò)安(ān)全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。现在的00后女的为什么都平胸，为什么现在平胸妹子越来越多'color: #ff0000; line-height: 24px;'>现在的00后女的为什么都平胸，为什么现在平胸妹子越来越多trong>

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络(luò)安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平(píng)台产品服(fú)务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实(shí)施网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等(děng)公司(sī)披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占(zhàn)比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了(le)长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势(shì)，公司(sī)也与(yǔ)国内(n现在的00后女的为什么都平胸，为什么现在平胸妹子越来越多èi)国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最(zuì)大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等(děng)相关公司份额提升，以及(jí)存储业务(wù)占比(bǐ)较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。