大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)存在较(jiào)严(yán)重网络(luò)安(ān)全问(wèn)题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危(wēi)害国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自(zì)中国市场收入(rù)从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光(guāng)等(děng)国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年g跟ml一样吗洗发水，g和ml有区别吗年报(bào)显示，江(jiāng)波龙与三星、美光g跟ml一样吗洗发水，g和ml有区别吗(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子(zi)披(pī)露，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美(měi)国(guó)限(xiàn)制名单，设(shè)备(bèi)国产化(huà)进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 g跟ml一样吗洗发水，g和ml有区别吗