大家好，来看一(yī)则(zé)突发消(疏离感和陌生感的意思是什么，疏离感和陌生感的区别xiāo)息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法疏离感和陌生感的意思是什么，疏离感和陌生感的区别规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全(quán)，是(shì)维(wéi)护(hù)国(guó)家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙(lóng)头，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美(měi)光(guāng)等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上(shàng)下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与三星、美光(guāng)、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀(shí)和(hé)薄膜(mó)成为最关键(jiàn)、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(疏离感和陌生感的意思是什么，疏离感和陌生感的区别měi)上海（清洗）等收入增长。

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