大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此(cǐ)，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室(shì)依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司(sī)产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品(pǐn)网络(luò)安(ān)全问题(tí)危(wēi)害国(guó)家关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要措(cuò)施。中国(guó)坚定推进高水平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家安(ān)全(quán)，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)国家(jiā)安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光公司(四川地震最新消息今天，20分钟前四川刚刚发生地震sī)（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实(shí)施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国(gu四川地震最新消息今天，20分钟前四川刚刚发生地震ó)市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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