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　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办(bàn)消息(xī)，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行了网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　审查(chá)发(fā)现，美(měi)光公司产品存(cún)在较严(yán)重网络安全100ml酒是几两，100ml小酒瓶是几两问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基(jī)础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　100ml酒是几两，100ml小酒瓶是几两;'>100ml酒是几两，100ml小酒瓶是几两A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和(hé)第三(sān)大(dà)供(gōng)应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的(de)上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关(guān)键、最大量(liàng)的加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜(mó)沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限(xiàn)制名单，设备国产(chǎn)化进程(chéng)加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入(rù)增(zēng)长。

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