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　　美(měi)光公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依法对美(měi)光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)供应链造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全风(fēng)险，影响我国国家安全。为此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室(shì)依(yī)法作出不予通(tōng)过(guò)网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设(shè)施安(ān)全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的(de)产品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市(shì)场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露(lù)过美(měi)光等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列江(jiāng)波龙第一(yī)大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)少先队的队旗是什么，少先队的队旗是什么组成的星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的少先队的队旗是什么，少先队的队旗是什么组成的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未(wèi)来可(kě)能(néng)会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额(é)提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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