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　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的(de)产(chǎn)品未通过(guò)网络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全审查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全(quán)审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者应(yīng)停(tíng)止采(cǎi)购美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品(pǐn)进行(xíng)网络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国家安全(quán)的(de)必要措施。中国(guó)坚定推进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全审查(chá)办法(fǎ)》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等(děng)国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采购金额(é)占比分(fēn)别是(shì)26悲守穷庐将复何及啥意思，悲守穷庐将复何及表达了什么愿望.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经(jīng)在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公(gōng)司在下游(yóu)市(shì)场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前(qián)就分析，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制(zhì)，或将导致下游(yó悲守穷庐将复何及啥意思，悲守穷庐将复何及表达了什么愿望u)客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入悲守穷庐将复何及啥意思，悲守穷庐将复何及表达了什么愿望3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务(wù)占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长。

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