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适合和合适的区别爱情,适合和合适的区别是什么 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突发(fā)消(xiāo)息。

  美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

  据网信办消息,日前,网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了(le)网络安全(quán)审查。

  审查发现,美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐患,对我国(guó)关键(jiàn)信息基础设施供应(yīng)链(liàn)造(zào)成重大安全风险,影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此,网络安全(quán)审查办公室(shì)依(yī)法作出不予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规(guī),我国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

  此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全审查(chá),目的是(shì)防(fáng)范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施安(ān)全,是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平对外开放,只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法(fǎ)规要求,欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

  半导体突发(fā)!中国出手(shǒu):停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关(guān)键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全,防范产品问题(tí)隐患造(zào)成网(wǎng)络(luò)安全风险,维护国家安全,依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》,网络(luò)安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查(chá)办法》,对美(měi)光公司(sī)(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查。

  半导体突发!中(zhōng)国出手:停止(zhǐ)采购!

  美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头,也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī),2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57%降(jiàng)至2022年(nián)约11%。根(gēn)据(jù)市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市(shì)场份额约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM (内存(cún))市(shì)场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上(shàng)市公司中,江(jiāng)波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

  美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降,至(zhì)少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

  公(gōng)告显示(shì), 2021年美(měi)光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大(dà)存储晶圆供应商,采购约31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额(é)占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示(shì),江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约,确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性,巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势,公司也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

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  有券商此前(qián)就分析(xī),如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制,或将(jiāng)导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì),适合和合适的区别爱情,适合和合适的区别是什么rong>国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

  分(fēn)析称,长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维到3维的(de)结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤,同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60:1的深孔,未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽,催生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露,薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75%。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单,设(shè)备(bèi)国产化进程(chéng)加(jiā)速,看好拓荆科(kē)技(薄(báo)膜沉积)等(děng)相关(guān)公司份额提升,以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清(qīng)洗)等收入增长(zhǎng)。

 

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