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　　美光公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美(měi)光(guāng)公司在华销售(shòu)产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对(duì)我国关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查(chá)办公(gōng)室依法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安(ān)全问题危害(hài)国家关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)安全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(z虎眼石怎么辨别真假，虎眼石什么人不能戴ī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂商为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已经在存(cún)储产业链(liàn)上下(xià)游建立国(guó)内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也(yě)与国内(nèi)国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星、 SK海力士，虎眼石怎么辨别真假，虎眼石什么人不能戴国内(nèi)长(zhǎng)江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàn虎眼石怎么辨别真假，虎眼石什么人不能戴g)游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量(liàng)的(de)加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设备国(guó)产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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