大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较(jiào)严重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不(025是哪里的区号，025是哪里的区号查询bù)予通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查的结(jié)论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络安全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网络(luò)安全(quán)问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安(ān)全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢(huān)迎(yíng)各国(guó)企025是哪里的区号，025是哪里的区号查询业(yè)、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络安全风(fēng)险，维护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披(pī)露(lù)过(guò)美光等(děng)国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产(chǎn)业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶025是哪里的区号，025是哪里的区号查询圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司(sī)在下游市场的(de)供应优势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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