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　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光公司(sī)在华销售产品(pǐn)进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查(chá)发现，美光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设施供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施(shī)的运(yùn)营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护(hù)国家安(ān)全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚(jiān)定推进高水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入(rù)中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国(guó)网信网发文(wén)称，为(wèi)保障关键信息(xī)基(jī)础设施供应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网络(luò)安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安(ān)全，依据(jù)《中华(huá)人民共和国(guó)国家(jiā)安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存(cún)储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披露过(guò)美光等(děng)国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列江波龙第携手三十七年风雨兼程下一句是什么 三十年风雨兼程下一句一(yī)大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额(é)占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约，确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势(shì)，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光在(zài)中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中受益。存(cún)储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能(néng)会更深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积(jī)）等相关(guān)公司(sī)份额(é)提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的(de)华海(hǎi)清科（C携手三十七年风雨兼程下一句是什么 三十年风雨兼程下一句MP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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