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裤子72a是多大尺码 裤子72a和76a差别大吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则(zé)突发消息(xī)。

  美光公司在华销售(shòu)的(de)产品未(wèi)通过网络安全审查

  据网信办消息,日(rì)前,网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对美光公司在华(huá)销售产品进行了(le)网络安全审(shěn)查。

  审查(chá)发现,美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患,对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险,影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此,网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规,我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

  此次对美(měi)光公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查,目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危害国家(jiā)关键信息基础设施(shī)安(ān)全,是维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外(wài)开(kāi)放,只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求,欢迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

  半导体突(tū)发!中国出(chū)手:停(tíng)止采购!

  3月(yuè)31日,中国网信网(wǎ裤子72a是多大尺码 裤子72a和76a差别大吗ng)发(fā)文称,为保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链(liàn)安全,防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn),维(wéi)护国家安全,依据《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安全法》,网络安全(quán)审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)法》,对美光公司(Micron)在(zài)华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

  半导体突发!中国出手:停止采购!

  美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头,也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之一,2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询(xún)机构 Omdia(裤子72a是多大尺码 裤子72a和76a差别大吗IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年(n裤子72a是多大尺码 裤子72a和76a差别大吗ián)三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公(gōng)司中,江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商(shāng)为公司供应商。

  美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下降,至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

  公告显(xiǎn)示, 2021年美(měi)光位列江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商,采购约31亿(yì)元(yuán),占比33.52%;2022年,江波龙第一大、第(dì)二大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示(shì),江(jiāng)波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合(hé)约,确保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng),巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的(de)供(gōng)应(yīng)优势,公(gōng)司也(yě)与(yǔ)国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

  有券商此前就分析,如果美光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制,或将导(dǎo)致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士,国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

  分析称,长存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤,同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽,催(cuī)生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京(jīng)电子披(pī)露,薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为(wèi)75%。自长江存(cún)储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单,设备国产化进程加速(sù),看好拓荆科(kē)技(jì)(薄膜沉积(jī))等相关公(gōng)司份额(é)提升,以及存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海(hǎi)清科(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增(zēng)长。

 

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