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　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售的(de)产品未通(tōng)过(guò)网络(luò)安(ān)全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安(ān)全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场2016年是什么年。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人(rén)民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办(bàn)法》，对(duì)美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波(bō)龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商(shāng)采(cǎi)购金额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国(guó)内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等(děng)主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固(gù)公司在下游(yóu)市(shì)场的供应优势(shì)，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或(huò)将导致下游(yóu)客户转而(ér)采(cǎi)购国(guó)外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使(shǐ)刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜(mó)沉积设(shè)备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化(huà)进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相关公司份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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