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　　美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对美(měi)光公司在华(huá)销售产品进(jìn)行了网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过(guò)网络安全审查的(de)结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是(shì)防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务(wù)进(jìn)入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患(huàn)造成网络(luò)安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，维护(hù)国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共和国国(guó)家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)按照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售(shòu)的(de)产品实施(shī)网络(luò)安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收入来自中国市场收树荫和树阴的区别读音，树荫和树阴的区别树成荫是哪个阴(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电(diàn)子(zi)、 SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维(wéi)存储等(děng)公司披露(lù)过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波(bō)龙树荫和树阴的区别读音，树荫和树阴的区别树成荫是哪个阴(lóng)采购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第(dì)三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5树荫和树阴的区别读音，树荫和树阴的区别树成荫是哪个阴.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确(què)保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单(dān)，设备国(guó)产(chǎn)化(huà)进程加速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关(guān)公司份额提升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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