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　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造(zào)成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室依法作出(chū)不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)网络(luò)安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全(quán)法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络(luò)安全审查。

　　美光是(shì)美国的(de)存(cún)储芯(xīn)片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约郑业成是否已婚 郑业成是几线演员11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存储晶圆(yuán)供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三(sān)大供应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙(lóng)与三(sān)星(xīng)、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产(chǎn)存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好郑业成是否已婚 郑业成是几线演员的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的(de)生产已经(jīng)演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以(yǐ)及存储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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