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李白《江湖行》全诗及翻译注释,李白《江湖行》全诗及翻译 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则突发(fā)消息。

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  据网信办消息,日前,网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

  审查(chá)发现,美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患,对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风险,影响(xiǎng)我国(guó)国家安(ān)全(quán)。为此,网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法作出(chū)不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规,我(wǒ)国内(nèi)关键信息(xī)基础设施的(de)运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品。

  此次对(duì)美光公司(sī)产品进行网络安全(quán)审查,目的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问题(tí)危(wēi)害(hài)国(guó)家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全,是维护(hù)国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放,只要遵(zūn)守中国法律法规要求(qiú),欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市(shì)场。

  半导体突发!中国(guó)出手(shǒu):停(tíng)止采购!

  3月(yuè)31日,中国网信网发文(wén)称,为保障关键信息基础设(shè)施供应链安全,防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险,维护国家安全,依(yī)据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络(luò)安全法》,网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》,对美光公(gōng)司(Micron)在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安(ān)全审查(chá)。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采购(gòu)!

  美光是美国的存储(chǔ)芯片行业(yè)龙头(tóu),也是全球存储芯片(piàn)巨头之一,2022年收入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57%降至2022年约(yuē)11%。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额(é)约为 96.76%,三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存(cún))市场(chǎng)份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波(bō)龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

  美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降,至少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商。

  公告显示, 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应商,采(cǎi)购(gòu)约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存(cún)储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示,江波龙与三星、美光、西(xī)部数据(jù)等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约,确保存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应的(de)稳定性,巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势,公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

  有券商此前就分(fēn)析(xī),如果美光在(zài)中国区销售受到(dào)限制(zhì),或将导致下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士,国(guó)内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对(duì)产(chǎn)品

  分析称,长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备厂或(huò)从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60:1的(de)深(shēn)孔,未来(lái)可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽,催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù),薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75%。自长江存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单,设备国产化进程加(jiā)速(sù),看好拓荆科技(jì)(薄膜沉积)等相(xiāng)关公司(sī)份额提(tí)升,以及存(cún)储业务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华海清科(kē)(CMP)、盛美上海(清洗)等收入增(zēng)长。

 

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