大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络(luò)安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防(fáng)范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国家关(guān)键信(xìn)息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要(yào)措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国(guó)法(分分合合的爱情能长久吗，分分合合的爱情是真爱吗fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企(分分合合的爱情能长久吗，分分合合的爱情是真爱吗qǐ)业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信(xìn)网(wǎng)发文称，为保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施(shī)供应链安全(quán)，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全(quán)风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网(wǎng)络安(ān)全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公(gōng)室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露过美光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约(yuē)31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储(chǔ)产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光(分分合合的爱情能长久吗，分分合合的爱情是真爱吗guāng)、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下(xià)游市场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电(diàn)子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限制名单(dān)，设(shè)备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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