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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前(qián)，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了(le)网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危(稚优泉这个牌子怎么样，稚优泉这个牌子怎么样啊wēi)害国家(jiā)关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全(quán稚优泉这个牌子怎么样，稚优泉这个牌子怎么样啊)，是维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品(pǐn)服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存(cún)储产业链(liàn)上下(xià)游(yóu)建立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西部数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受(shòu)到限(xiàn)制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客(kè)户(hù)转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最(zuì)大量的(de)加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储(chǔ)被加入(rù)美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份(fèn)额(é)提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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