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　　美光公司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售产品进行了(le)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，<北京银行营业时间，北京银行营业时间周六周日strong>美(měi)光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影(yǐng)响我国(guó)国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络(luò)安(ān)全审查的(de)结论(lùn)。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者应停止采购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全(quán)问题(tí)危害国家关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安全的必(bì)要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè北京银行营业时间，北京银行营业时间周六周日)国企(qǐ)业、各类(lèi)平(píng)台产(chǎn)品服(fú)务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)风险，维(wéi)护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据《中华(huá)人(rén)民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安(ān)全(quán)审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司(sī)披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第(dì)三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与三星、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在(zài)下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在(zài)中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力士(shì)，北京银行营业时间，北京银行营业时间周六周日ng>国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积(jī)设备(bèi)及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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