大(dà)家(jiā)好，来(lái)看一(yī)则(zé)突发消(xiāo)息。

　　戴偏旁是戈还是十字旁，戴偏旁是戈还是十一画ng>美光(guāng)公司(sī)在华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室依法对(duì)美光公(gōng)司(sī)在华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造(zào)成重大安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信息基础设施的(de)运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目(mù)的(de)是(shì)防范产品(pǐn)网络(luò)安(ān)全问题(tí)危(wēi)害(hài)国家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审(shě戴偏旁是戈还是十字旁，戴偏旁是戈还是十一画n)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美(měi)光等国际(jì)存(cún)储厂商为公(gōng)司(sī)供应商(shāng)。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供(gōng)应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆(yuán戴偏旁是戈还是十字旁，戴偏旁是戈还是十一画)原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合(hé)约，确(què)保存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳定性，巩(gǒng)固(gù)公(gōng)司(sī)在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜成(chéng)为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能(néng)会(huì)更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加入(rù)美国限制名(míng)单(dān)，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华(huá)海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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