大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对(duì)美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存在较(jiào)严(yán)重(zhòng)网络安全(quán)问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国(guó)关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进行网(wǎng)络(luò)安(ān)全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题危害国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护(hù)国家安(ān)全(quán)的(de)必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只(zhǐ)要(yào)遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网络(luò)安(ān)全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Ma当断不断必受其乱是什么意思，当断不断 必受其乱下一句rkit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大(dà)和第三大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司(sī)在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析(xī)，如(rú)果美(měi)光在(zài)中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)当断不断必受其乱是什么意思，当断不断 必受其乱下一句内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或(huò)从中(zhōng)受(shòu)益。存储(chǔ)器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入(rù)美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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