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康桥在哪里再别康桥,徐志摩康桥在哪里 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息(xī)。

  美光公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

  据(jù)网信办消息(xī),日前,网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

  审查发(fā)现,美光(guāng)公(gōng)司产品存(cún)在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患,对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设施供(gōng)应链造成重大安(ān)全风(fēng)险(xiǎn),影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为(wèi)此,网络安全审查(chá)办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规(guī),我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司产品。

  此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查,目的是(shì)防范(fàn)产品(pǐn)网络安全(quán)问题危害国家关键信(xìn)息基础设(shè)施安全,是维(wéi)护(hù)国家安全的必要措施。中国坚(j康桥在哪里再别康桥,徐志摩康桥在哪里iān)定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放,只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国法律法规要求,欢(huān)迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市(shì)场。

  半(bàn)导体突发(fā)!中国(guó)出手:停止采购(gòu)!

  3月31日,中国网信网(wǎng)发文(wén)称,为保障关键信(xìn)息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链安(ān)全,防范(fàn)产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风(fēng)险,维护国家安全,依据《中华人民共和国(guó)国家安(ān)全法》康桥在哪里再别康桥,徐志摩康桥在哪里《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》,网络安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)法》,对美光公(gōng)司(Micron)在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

  半导体突发!中(zhōng)国出手:停止采购!

  美光是美国的存储芯片行业龙头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash (闪存)市场份(fèn)额约为 96.76%,三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM (内(nèi)存(cún))市场份额(é)约为(wèi) 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过(guò)美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司(sī)供应商(shāng)。

  美光在(zài)江波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下(xià)降,至少(shǎo)已(yǐ)经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

  公告显示, 2021年美光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商,采购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年(nián),江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年(nián)报(bào)显示(shì),江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合(hé)约,确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性,巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应优势,公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作(zuò)。

  有(yǒu)券(quàn)商此前就(jiù)分析,如(rú)果美光在中(zhōng)国区销售受到限制(zhì),或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士,国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

  分析(xī)称,长存(cún)、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到(dào)3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤,同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽,催生(shēng)更多(duō)设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露,薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合(hé)计为75%。自长(zhǎng)江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单,设备(bèi)国产化进程加速(sù),看好拓荆科技(薄膜沉积(jī))等相(xiāng)关公司份额(é)提升,以及(jí)存储业务(wù)占比较高(gāo)的华(huá)海清科(CMP)、盛(shèng)美上(shàng)海(清洗)等收入增长。

 

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