大家好，来看(kàn)一则(zé)突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险(xiǎn)，影响我国(guó)国家安全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础设(shè)施的(de)运营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全(quán)问题(tí)危害国家(jiā)关(guān)键信息(xī)基(jī)础设(shè)施安全，是(shì)维护国家安全(quán)的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信(悲痛和悲恸的区别在哪，比悲伤更高级的词xìn)息(xī)基础设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依(yī)据《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室按(àn)悲痛和悲恸的区别在哪，比悲伤更高级的词照《网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)办法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询(xún)机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际(jì)存(cún)储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔(kǒng)或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计(jì)为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储业(yè)务悲痛和悲恸的区别在哪，比悲伤更高级的词(wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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