大家好，来看一(yī)则突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安(ān)全(qu句读之不知是什么句式类型，句读之不知是什么句式的意思án)。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法作出不(bù)予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推(tuī)进高水句读之不知是什么句式类型，句读之不知是什么句式的意思(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全(quán)法》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是(shì)美(měi)国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙(lóng)头，也(yě)是全(quán)球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波(bō)龙句读之不知是什么句式类型，句读之不知是什么句式的意思、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等(děng)公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已(yǐ)经不是主要(yào)大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上(shàng)下游(yóu)建(jiàn)立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游(yóu)市(shì)场的供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区(qū)销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下游(yóu)客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者(zhě)沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存储业务(wù)占比较高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长。

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