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　　美光公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通work on的用法以及语法，workon的用法总结过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网络安(ān)全问(wèn)题(tí)隐患(huàn)，对我国(guó)关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查办公室依法作出(chū)不予通过(guò)网络安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题work on的用法以及语法，workon的用法总结危(wēi)害(hài)国(guó)家关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维护(hù)国家安全的(de)必要措施(shī)。中(zhōng)国坚(jiān)定推进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求(qiú)，欢迎各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络(luò)安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全，依(yī)据(jù)《中华人民共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)。

　　美光是(shì)美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在(zài)江(jiāng)波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经(jīng)显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙(lóng)第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国(guó)内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆(yuán)供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入(rù)美国限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相(xiāng)关(guān)公司(sī)份(fèn)额(é)提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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