大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全(quán)审查办(bàn)公室依法对(duì)美光公司在华销售产品进(jìn)行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响我国国家安全。体校怎么考,上体校需要什么条件呢，体校需要什么条件可以考？>为此，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予(yǔ)通过网络安(ān)全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我(wǒ)国(guó)内关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光公司(sī)产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国(guó)家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产(chǎn)品问(wèn)题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办公室按(àn)照《网络安全审查(chá)办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披露(lù)过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国(guó)区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技（薄体校怎么考,上体校需要什么条件呢，体校需要什么条件可以考？膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。