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　　美(měi)光公司在华(hu天津面积多少平方公里á)销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全(quán)审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造(zào)成重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的(de)运(yùn)营者应(yīng)停止采(cǎi)购美(měi)光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司(sī)产品进(jìn)行网(wǎng)络安(ān)全审查，目的(de)是防范产品网(wǎng)络安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施安(ān)全(quán)，是维护(hù)国(guó)家安(ān)全(quán)的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中(zhōng)国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民(mín)共(gòng)和国国家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查(chá)办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也(yě)是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光(guāng)位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩(gǒng)固公司在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的(de)合(hé)作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积工艺(yì)步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来(lái)可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生(sh天津面积多少平方公里ēng)更多(duō)设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储(chǔ)被加入(rù)美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化进(jìn)天津面积多少平方公里程(chéng)加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较(jiào)高(gāo)的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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