大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突(tū)发消息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华销售的产品(pǐn)未(wèi)通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室对付睡完就跑的男人，报复睡完就跑的男人(shì)依(yī)法对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进对付睡完就跑的男人，报复睡完就跑的男人行了网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作(zuò)出不予通过网络安全审查(chá)的(de)结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护(hù)国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实施网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占(zhàn)比已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部(bù)数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆供应(yīng)的稳(wěn)定(dìng)性，巩(gǒng)固公司在下游市(shì)场的(de)供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销(xi对付睡完就跑的男人，报复睡完就跑的男人āo)售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户(hù)转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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