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　　美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销售的(de)产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售(shòu)产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问题隐(yǐn)患，对(duì)我国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安(ān)全审查(chá)的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络安全(quán)审查(chá)，目的是(shì)防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题(tí)危害国家关(guān)键信息基(jī)础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全的必要(yào)措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设(shè)施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络(luò)安全(quán)风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安(ān)全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业(团费收缴标准是多少钱，团费收缴标准是多少钱一个月yè)龙(lóng)头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市(shì)场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙第一大、第二(èr)大和(hé)第三大(dà)供(gōng)应商采购(gòu)金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导(dǎo)致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能(néng)会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国产(chǎn)化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉积(jī)）等(děng)相关(guān)公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增(zēng)长。

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