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　　美光公司在华销售的(de)产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在(zài)华销售产品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链(liàn)造成重大安全风险(xiǎn)，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产(chǎn)品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设(shè)施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障(zhàng)关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美(měi)国(guó)的(de)存储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、长沙哪个区是中心区，长沙哪个区属于市中心西部数据、SK 海(hǎi)力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过(guò)美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降，至少已经(jīng)不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一(yī)大(dà)、第二大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占(zh长沙哪个区是中心区，长沙哪个区属于市中心àn)比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销(长沙哪个区是中心区，长沙哪个区属于市中心xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公(gōng)司份额(é)提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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