大家(jiā)好，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链造(zào)成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规我国雨带移动规律及其影响，我国雨带移动规律口诀，我国内关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查(chá)，目(mù)的(de)是防范产品(pǐn)网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题(tí)危害国(guó)家关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)安全，是维护(hù)国(guó)家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是(shì)全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来(lái)自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美光等国(guó)际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经(jīng)在(zài)存储产业(yè)链上下(xià)游建立国(guó)内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游(yóu)客户转(zhuǎn)而我国雨带移动规律及其影响，我国雨带移动规律口诀(ér)采(cǎi)购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关(guān)键(jiàn)、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多(duō)设备(bèi)需求(qiú)。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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