大(dà)家(jiā)好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络(luò)安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对(duì)美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重大(dà)安全风险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安全审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的(de)运营者(zhě)应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息(xī)基础设施供应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民(mín)共和国(别急老师今天晚上是你的人，别急老师今天晚上就是你的了guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

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　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过美光(guāng)等国(guó)际存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙(lóng)采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大(dà)供(gōng)应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加(jiā)入(rù)美国限制名单，设(shè)备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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