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　　美(měi)光公司(sī)在华销售(shòu)的(de)产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依法对(duì)美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较(jiào)严重网络安(ān)全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法(fǎ)规，我国(guó)内(nèi)关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运(yùn)营者应(yīng)停(tíng)止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网络安全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进(jìn为什么好多美女都口臭，女朋友很漂亮但是有口臭)高(gāo)水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　为什么好多美女都口臭，女朋友很漂亮但是有口臭　A股(gǔ)上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比已经(jīng)显著下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大(dà)供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大(dà)、第(dì)二大和第(dì)三大供应商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链(liàn)上下游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供应优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国(guó)产(chǎn)存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持(chí)良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游(yóu)设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的(de)生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来(lái)可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长(z为什么好多美女都口臭，女朋友很漂亮但是有口臭hǎng)江存储被加入(rù)美国限制名单(dān)，设(shè)备国产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关(guān)公司份(fèn)额提(tí)升，以及存储业务(wù)占比(bǐ)较(jiào)高的(de)华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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