大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公(gōng)司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美(měi)光公司在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应(yīng)链造成重大(dà)安(ān)全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)依(yī)法作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息(xī)基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安(ān)全审(shěn)查，目(mù)的是防范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关(guān)键信息(xī)基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国(guó)网信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安(ān)全(quán)风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人(rén)民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中(zhōng)国市场(chǎng)收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公司披(pī)露过美光(guāng)等(děng)国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司供(gōng)应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前(qián)就(jiù)分析，如果美光(guāng)在中国区(qū)销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品<但使龙城飞将在,不教胡马渡阴山的意思是什么，但使龙城飞将在不教胡马渡阴山的意思/strong>

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存(cún)储(chǔ)器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公(gōng)司(sī)份额提升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。