大家好，来看一(yī)则突发(fā)消息。

　　美光公司在(zài)华(huá)销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国家安(ān)全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的(de)运营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业(yè)、各类(lèi)平(píng)台(tái)产(chǎn)品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民共和国国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公(gōng)室按(àn)照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品(pǐn)实施(shī)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场(chǎng)收入从此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、日语jtest报名入口，日语jtest报名费n style='color: #ff0000; line-height: 24px;'>日语jtest报名入口，日语jtest报名费美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产(chǎn)业链上下游建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储日语jtest报名入口，日语jtest报名费晶圆供(gōng)应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可(kě)能会(huì)更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加入(rù)美(měi)国(guó)限制名单(dān)，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入增长。

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