大家好，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售的产品未通过(guò)网络安(ān)全审查(chá)

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)对美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)产品进行了网络安全(quán)审(shěn硝酸锌化学式，硝酸锌化学式怎么写)查。

　　审查发现，美光公司硝酸锌化学式，硝酸锌化学式怎么写产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基(jī)础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依法作出不予通过网络安全(quán)审(shěn)查(chá)的结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链(liàn)安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和(hé)国国家安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照《网络(luò)安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实(shí)施网络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要(yào)大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数(shù)据等主(zhǔ)要(yào)存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结(jié)构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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