大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售(shòu)产品进(jìn)行(xíng)了(le)网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发(fā)现(xiàn)，美(měi)光公司产品存在(zài)较(jiào)严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通过(guò)网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按(àn)照(zhào)《网络(luò)安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运营(yíng)者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网(wǎng)络(luò)安全问题危害(hài)国(guó)家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类(lèi)平(píng)台产品服务进(jìn)入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络(luò)安(ān)全风(fēng)险，维护国(guó)家(jiā)安全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降(jiàng)至2022年约56是什么意思 56是什么尺码11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储(chǔ)等(děng)公司(sī)披露过美光(guāng)等国际(jì)存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年(nián)年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西(xī)部数据等(děng)主要存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司(sī)在(zài)下游56是什么意思 56是什么尺码市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析(xī)，如果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì)，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为(wèi)最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤(zhòu)，同(tóng)时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催(cuī)生(shēng)更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国产化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积(jī)）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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