大家好，来看一则(zé)突发(fā)消息(xī)。

　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通(tōng)过网络安(ān)全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重(zhòng)大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网(wǎng)络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美(měi)光公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害(hài)国家关(guān)键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公(gōng)室按照(zhào)《网(wǎng)络安全(quán)审查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等国(guó)际存(cún)储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2太原市长热线电话是多少号，太原市长热线电话号码查询021年美光(guāng)位(wèi)列江波(bō)龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立(lì)国内外(wài)广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm太原市长热线电话是多少号，太原市长热线电话号码查询甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜沉积(jī)工(gōng)艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程(chéng)加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜(mó)沉积）等(děng)相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等(děng)收入增长。

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