大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审(shěn)查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键信息(xī)基(jī)础设施供应链造成重(zhòng)大安全(quán)风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全。为此，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法作出不予通过网(wǎng)络安全审(shěn)查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是防范产品网(w三沙市有多少人口2022，目前三沙市有多少人口ǎng)络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维护(hù)国家安全的必(bì)要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国(guó)法律(lǜ)法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人(rén)民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网络安(ān)全(quán)审查(chá)办公(gōng)室按照(zhào)《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一(yī)，2022年收(shōu)入来(lái)自中国三沙市有多少人口2022，目前三沙市有多少人口市(shì)场收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全(quán)球(qiú) DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国(guó)际存(cún)储厂商为(wèi)公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三(sān)大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分(fēn)别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业(yè)链上下(xià)游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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