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　　美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公(gōn谈恋爱期间所有的转账可以起诉吗，恋爱期间的转账超过多少要还g)室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信息(xī)基础设施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安(ān)全(quán)法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购美光公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络(luò)安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平(píng)对(duì)外(wài)开放，只要遵守(shǒu)中国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链安全，谈恋爱期间所有的转账可以起诉吗，恋爱期间的转账超过多少要还防范产品问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产(chǎn)品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头(tóu)之(zhī)一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际(jì)存储厂商为公司供应商(shāng)。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位(wèi)列江波(bō)龙第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在存(cún)储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作(zuò)。2022年(nián)年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区(qū)销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产品

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名(míng)单，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务占(zhàn)比较高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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